亚博yabo首页|基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长

本文摘要:尽管在商业有机化学液相堆积机器设备中能够在一次经营中搭建双片4H-SiC衬底的同质外延生长,可是必不可少将晶片装车到可旋转的大中型基座上,这导致基座的直徑伴随着总数或是外延晶片占地面积的降低而降低。

亚博登陆

尽管在商业有机化学液相堆积机器设备中能够在一次经营中搭建双片4H-SiC衬底的同质外延生长,可是必不可少将晶片装车到可旋转的大中型基座上,这导致基座的直徑伴随着总数或是外延晶片占地面积的降低而降低。在此项工作上,大家展览了一种简易的方式,根据制作的基本单晶片有机化学液相堆积机器设备,在没大中型基座的状况下,在比较简单的支撑架上放置双片4H-SiC衬底。

文中中根据显微镜,AFM,SEM和拉曼光谱分析科学研究了在每一个晶片上获得的4H-Si塑料薄膜的构造特性。结果显示,在每一个晶片的內部地区能够获得高品质的同质外延生长4H-SiC塑料薄膜;而在外界地区,因为遭受比较简单支撑架的机械零部件危害,品质升高。最终,大家运用晶片支撑架更进一步提升了有益的外界地区,展现出全部圆晶的同质外延生长,进而进一步提高了生产率,降低了耗能。图1:(a)CVD室和(b)具备晶片的特殊支撑架,(c)生长全过程的平面图我们在制作的髙压有机化学液相堆积管式反应器中进行了4H-SiC同质外延生长。

CVD管式反应器具有横着的热壁室。图1(a)说明了腔室的平面图。图1(b)说明了配有晶片的特殊晶片夹紧器。在图1(b)中,大家同样了三片4H-SiC衬底。

亚博yabo首页

槽中间的间距(d),典型值为一厘米,可依据具体情况自定。生长全过程如图所示1(c)下图。在生长以前,将晶片在20kPa和1400℃下进行H2转印纸应急处置三十分钟,以防止环境污染和衬底表层损伤。

亚博登陆

外延生长在10kPa和1600℃下进行一个小时。

本文关键词:亚博登陆,亚博yabo首页

本文来源:亚博登陆-www.donguaworld.com

相关文章